DEI1604-MES-G浪涌阻斷模塊|航空電子級SiC限流浪涌保護解決方案
發布時間:2026-03-16 09:54:41 瀏覽:154
DEI1604-MES-G 是一種用于航空電子和高可靠性系統的 浪涌保護模塊(Surge Blocking Module, SBM),它結合了先進的 碳化硅(SiC)FET 限流技術 與集成保險絲,實現雙向高壓浪涌電流保護。該產品主要用于與瞬態電壓抑制器(TVS 二極管)配合,在系統發生高電壓沖擊(如雷電或故障短路)時保護下游電路。

主要功能與特點
·高性能浪涌保護
雙向浪涌電流保護:在正向及反向瞬態電壓沖擊中均能限制浪涌電流。
使用 SiC FET 限流元件:相比傳統金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET),SiC 器件具有更快響應和更高耐壓能力。
·設計用于航空級規范
針對 空客 A350 XWB 雷電瞬態標準 和 DO-160E 第 22E 節(航空環境浪涌測試) 的浪涌測試要求設計。
·安全可靠的“故障安全”機制
內置 115VAC 保險絲,在非常大的沖擊電流(如超過正常雷電瞬變持續時間的短路)下保險絲會熔斷開路,防止損壞系統其他部分。
關鍵規格
工作電流:±0.45 A 正常運行電流
最大浪涌電阻:約 1.7 Ω(含 SiC FET 和保險絲)
浪涌測試波形:多種 DO-160 浪涌波形注入級別
工作溫度范圍:?55 ℃ 到 +85 ℃
封裝:12 引腳 DFN 表面貼裝封裝 (6.15 × 7.7 × 1.4 mm)
功能:與 TVS 二極管配合構建浪涌限流/電壓箝位保護網絡
典型應用
航空電子系統的輸入/輸出端口保護
雷電浪涌防護電路
通訊設備、控制板的高可靠性防護方案
與 TVS 二極管組合保護網絡
推薦資訊
SD11487為半橋配置,帶有兩個1200V 12mΩ SiC MOSFET。該模塊中還包括兩個與MOSFET并聯的續流1200V SiC肖特基二極管和一個集成NTC溫度傳感器。額定連續漏極電流為 95A。
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