- 產(chǎn)品詳情
1200 V, 40 A IGBT，采用反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝
1200 V、40 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT4，采用續(xù)流二極管在 TO247 中封裝，由于結(jié)合了溝槽單元和場(chǎng)終止概念，顯著提高了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。IGBT 和軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合進(jìn)一步降低了開(kāi)通損耗。由于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗間可實(shí)現(xiàn)折衷，因此可實(shí)現(xiàn)高效率。
特征描述
更低的傳導(dǎo)損耗實(shí)現(xiàn)較低的 VCEsat 壓降
低開(kāi)關(guān)損耗
由于 VCEsat 中的正溫度系數(shù)，因此易于進(jìn)行平行開(kāi)關(guān)
非常軟且快速恢復(fù)的反平行發(fā)射極控制二極管
具有高魯棒性、溫度穩(wěn)定的行為
低電磁干擾輻射
低柵極電荷
非常嚴(yán)格的參數(shù)分配
優(yōu)勢(shì)
高效率 - 得益于低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗
600 V 和 1200 V 的全面產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的高靈活性
器件可靠性高
參數(shù)：
| Parametrics | IKW40N120T2 |
|---|---|
| Eoff (Hard Switching) | 3.8 mJ |
| Eon | 4.5 mJ |
| IC (@ 25°) max | 75 A |
| IC (@ 100°) max | 40 A |
| ICpuls max | 160 A |
| IF max | 75 A |
| IFpuls max | 160 A |
| Irrm | 31 A |
| Ptot max | 480 W |
| Package | TO-247-3 |
| QGate | 192 nC |
| Qrr | 3300 nC |
| RG | 12 ? |
| RGint | - |
| Switching Frequency | TRENCHSTOP?2 2-20 kHz |
| Switching Frequency min max | 2 kHz 20 kHz |
| Technology | IGBT TRENCHSTOP? 2 |
| VCE(sat) | 2.3 V |
| VCE max | 1200 V |
| VF | 1.75 V |
| td(off) | 405 ns |
| td(on) | 32 ns |
| tf | 195 ns |
| tr | 28 ns |
