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日陶 NIKKATO YTZ®-S 氧化鋯珠 φ0.05mm 產(chǎn)品詳情玉崎科學代理品牌

更新時間:2026-09-20點擊次數(shù):6

日陶 NIKKATO YTZ®-S 氧化鋯珠 φ0.05mm 產(chǎn)品詳情玉崎科學代理品牌

一、產(chǎn)品定位

YTZ®-S φ0.05mm是日陶(NIKKATO)氧化鋯研磨介質系列中粒徑最小的規(guī)格之一,屬于YTZ®系列的高性能增強版本。該產(chǎn)品以0.05mm(50微米)的微珠形態(tài),定位于納米級超細研磨與分散領域,專為對粒徑分布精度和介質污染控制有要求的工藝場景設計。

日陶NIKKATO創(chuàng)立于1921年,是全球高性能陶瓷領域的百年品牌,其YTZ®系列氧化鋯球采用東曹(TOSOH)提供的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)粉體,由日陶負責精密成型與燒結制造。YTZ®-S作為該系列的增強版本,在標準YTZ®的基礎上進一步提升了硬度、球形度和致密度,專為納米級研磨和精密微加工場景設計

φ0.05mm規(guī)格在YTZ®-S系列中的價值在于:單位體積內高的球體數(shù)量。同等體積下,φ0.05mm微珠的填充數(shù)量是φ0.5mm球體的1000倍,這意味著研磨腔體內可形成數(shù)以百萬計的研磨接觸點,對物料施加高密度的剪切力與碰撞,從而實現(xiàn)傳統(tǒng)大粒徑介質無法達到的納米級細度。

二、核心技術參數(shù)

參數(shù)項YTZ®-S φ0.05mm 指標
化學成分ZrO? + HfO? ≥ 94.7%(含約4.8% Y?O?穩(wěn)定劑)
晶相結構四方相氧化鋯(TZP)
密度6.0 g/cm3
堆積密度約3.55 kg/L
維氏硬度HV10 1280
抗彎強度≥1200 MPa
斷裂韌性6.0 MPa·√m
彈性模量210 GPa
空磨磨損率≤0.3 ppm/h
球形度≥99.5%
粒徑公差+0.03 / -0.02 mm
莫氏硬度9級

與標準款YTZ®(φ0.05mm規(guī)格)的對比:

參數(shù)項YTZ® φ0.05mmYTZ®-S φ0.05mm
維氏硬度(HV10)12501280
空磨磨損率0.4 ppm/h≤0.3 ppm/h
球形度≥99%≥99.5%
致密度標準燒結HIP致密化,消除內部氣孔

YTZ®-S的硬度提升至1280 HV10,空磨磨損率降至0.3 ppm/h以下,球形度達到99.5%以上。這些參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化,使0.05mm規(guī)格在納米級粉碎和超低污染要求高的應用中形成了對標準款的全面超越

三、關鍵性能優(yōu)勢

3.1 超細粒徑實現(xiàn)納米級研磨極限

0.05mm微珠的直徑僅為一根頭發(fā)絲的一半左右,專為納米材料的高效分散與超精細粉碎而設計。YTZ®-S由超微纖維結構構成,配合其微珠形態(tài),可在高能量砂磨機中實現(xiàn)小于100納米的均勻粉碎,有效避免傳統(tǒng)研磨介質難以克服的團聚或過磨問題。在MLCC介質粉研磨中,φ0.05mm規(guī)格可將BaTiO?等介電陶瓷粉體研磨至亞微米乃至納米級別,確保介電層厚度的均勻性

3.2 極低磨耗控制污染

0.05mm微珠的比表面積遠大于大粒徑球體,理論上磨損速率會更高。YTZ®-S通過HIP熱等靜壓致密化工藝消除內部氣孔和微裂紋,將空磨磨損率控制在0.3 ppm/h以下。這一指標意味著在連續(xù)研磨過程中,介質自身磨損引入的雜質污染極低,對于MLCC介質層、半導體CMP漿料、注射用納米藥物等對金屬污染0容忍的場景至關重要。

3.3 高球形度保障研磨均勻性

球形度達到99.5%以上,意味著每一顆微珠的形狀都接近理想球體。在納米級研磨中,球體形狀的微小偏差都會導致局部剪切力分布不均,進而造成粒徑分布變寬。YTZ®-S的高球形度確保了數(shù)以百萬計的微珠在研磨腔體內運動軌跡一致,粉體粒度分布更加集中,研磨效率顯著提升

3.4 化學惰性與體系兼容性

YTZ®-S在常溫下具有化學惰性,耐酸堿腐蝕,不導磁、電絕緣,兼容水性、油性等多種溶劑體系,不與物料發(fā)生化學反應。這一特性使其不僅適用于電子材料的水基漿料研磨,也可用于醫(yī)藥領域的有機溶劑研磨體系。

3.5 批次一致性與可追溯性

YTZ®系列擁有30年以上的連續(xù)生產(chǎn)歷史,產(chǎn)品具有嚴格的批次一致性。從東曹YSZ原料到日陶成品,全程具有完整的批次追溯體系,這一特性在醫(yī)藥和半導體行業(yè)中尤為重要

四、典型應用場景

4.1 MLCC介質粉納米級研磨

MLCC介質層厚度持續(xù)減薄至亞微米級別,對鈦酸鋇等介電粉體的粒徑分布要求極為嚴苛。φ0.05mm的YTZ®-S微珠可在高能量砂磨機中實現(xiàn)介電材料的納米級分散,保障介電層厚度的均勻性。在實際產(chǎn)線中,某日系MLCC大廠原使用標準YTZP鋯球導致介質層Zr含量超標(>80ppm),切換至YTZ®-S系列后污染問題得到有效控制。對于車規(guī)級MLCC等對污染控制要求更高的場景,YTZ®-S的低磨耗和高球形度是保障產(chǎn)品在工況下長期穩(wěn)定運行的關鍵。

4.2 半導體CMP拋光漿料制備

化學機械拋光(CMP)是芯片制造中實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心工藝,先進制程要求晶圓表面粗糙度低于0.2納米。φ0.05mm的YTZ®-S微珠用于制備CMP拋光漿料中的氧化鋯磨料,其較高的硬度和良好的化學穩(wěn)定性使其能夠有效切削芯片表面材料,同時在拋光液中不易發(fā)生副反應。在氮化鎵、碳化硅等第三代化合物半導體的拋光應用中,YTZ®-S的優(yōu)勢尤為突出——高硬度磨料在提升晶圓去除率的同時減少了磨料殘留,降低了表面金屬污染水平

4.3 鋰電池材料納米分散

在鋰電池正極材料(高鎳三元)、硅碳負極材料及固態(tài)電解質的納米化處理中,φ0.05mm的YTZ®-S微珠用于高能量密度砂磨機中的超細分散,可將電極漿料細化至納米級,同時避免引入鐵、硅等影響電池循環(huán)壽命的磁性雜質。YTZ®-S不含重金屬和溶劑,從源頭保障了電池材料的純度安全性

4.4 醫(yī)藥與生物制劑

YTZ®-S φ0.05mm微珠是原料藥(API)濕法介質研磨的理想選擇,用于制備納米混懸液以提升難溶性藥物的生物利用度。東曹資料將Pharmaceutical、Biomedical列為YTZ®的核心應用領域。YTZ®的制造過程不使用重金屬和溶劑,且從原料到成品具有完整追溯體系,符合醫(yī)藥行業(yè)對研磨介質衛(wèi)生安全性的嚴格要求。

4.5 油墨與顏料

在數(shù)字噴墨墨水、高檔顏料和納米涂料的解聚工藝中,φ0.05mm微珠憑借單位體積內高的碰撞頻率,實現(xiàn)亞微米級的精細分散,提升產(chǎn)品的色彩飽和度和細度均勻性。

五、使用建議

設備適配:φ0.05mm微珠需要搭配高能量密度臥式砂磨機環(huán)形砂磨機,設備分離系統(tǒng)需具備能夠攔截0.05mm微珠的能力(通常采用離心式分離或狹縫式分離環(huán))。推薦搭配氧化鋯或聚氨酯內襯,避免使用不銹鋼內襯造成鐵污染。

填充率:臥式砂磨機建議填充率為研磨腔有效容積的60%–70%;攪拌磨機建議50%–60%。對于0.05mm微珠,部分文獻中采用更高的填充率(80%–95%)以實現(xiàn)更高效的研磨。建議根據(jù)物料粘度和目標粒徑進行梯度試驗,從70%起步逐步優(yōu)化。

運行參數(shù):由于微珠粒徑極小,建議研磨線速度控制在8–12 m/s,過高的線速度會導致微珠過度磨損和設備發(fā)熱。漿料粘度建議控制在500–2000 cP,粘度過高會導致微珠運動受阻,粘度過低則研磨效率下降。

維護與更換:每運行50–100小時建議檢查分離系統(tǒng)是否堵塞,定期篩分去除碎球和磨屑。當微珠直徑縮減超過初始尺寸的10%時,建議補充或更換新珠。YTZ®-S的低磨損率(≤0.3 ppm/h)意味著補球頻率遠低于普通研磨介質,長期使用成本更具優(yōu)勢。

選型分界:φ0.05mm適用于追求納米級細度的精磨和超細分散階段;若工藝處于中磨或粗磨階段,建議先用較大粒徑(如φ0.1–0.5mm)進行預處理,再切換至φ0.05mm微珠進行最終納米化,形成梯度研磨工藝鏈。在YTZ®與YTZ®-S之間,標準款適用于常規(guī)納米研磨,增強款則針對車規(guī)級MLCC、半導體CMP、注射用納米藥物等對污染控制有要求的場景。


六、供貨采購渠道

玉崎科學儀器(深圳)有限公司  原裝現(xiàn)貨供應

地址:廣東省深圳市龍華新區(qū)龍華街道906號電商集團7樓整層玉崎科學

項目負責人:林經(jīng)理




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